存储芯片，开启超级周期

存储芯片周期性显著强于其他半导体细分领域，近13年呈现3-4年一轮的周期规律，当前正处于第四轮周期。

　　回顾前三轮：2012-2015年由智能机换机潮驱动，后因扩产供过于求下行；2016-2019年受益3D NAND产能转移、DDR4迭代及手机游戏需求，DRAM等产品价格涨幅超100%，后续受PC/服务器需求疲软调整；2020-2023年疫情催生远程办公与数据中心需求，存储先涨后因需求疲软、产能过剩下跌超50%。

　　2024年至今，AI算力基建与HBM技术革命成为新引擎，改写传统周期逻辑。第四轮周期中，存储需求不再依赖个人消费端，企业级AI资本开支成为重要支撑，驱动HBM、DDR4/DDR5及企业级SSD等市场大规模增长。

　　在此趋势下，三星、SK海力士等行业龙头开启新一轮争夺战，业绩迎来空前高增。

　　10月14日，三星公布的初步财报显示，Q3营业利润为12.1万亿韩元，同比增长31.81%，环比大增158.55%，大超预期。三星单季营业利润历经5个季度，再次回升至10万亿韩元以上，也创下自2022年第二季度（14.1万亿韩元）以来的最高记录。

　　三季度销售额为86万亿韩元，同比增长8.72%，环比增长15.33%，创下历史新高。三星将于本月晚些时候公布包含净利润和部门明细项目的完整财报。

　　SK海力士Q3运营利润首次突破10万亿韩元大关，达到11.38万亿韩元，同比激增62%；营收24.45万亿韩元，同比增长39%；净利润12.598万亿韩元，三项核心指标均刷新历史纪录。

　　HBM业务成为驱动业绩增长的核心引擎。财报披露，12层堆叠的HBM3E及服务器DDR5等高端产品贡献了主要收入增量，推动公司毛利率攀升至57%。

　　据悉，三星与SK海力士近日已通知客户：2025年第四季度合同或现货价格将调高至约30%的幅度，涉及DRAM与NAND Flash产品。

　　随着云服务器、AI模型训练及推理需求的叠加，DRAM与NAND的供需格局正在发生改变。多家国际电子与服务器厂商据称在近日积极与三星、SK海力士磋商“2-3年期”中长期供货协议，以锁定未来资源、避免价格波动风险。

　　DRAM价格攀升的部分原因在于产能受到HBM的挤压。据报道援引美光首席商务官Sumit Sadhana的言论，HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上。由于利润丰厚，内存制造商有充分的动力优先生产HBM。

免责声明：
文章内容转自互联网，不代表本站赞同其观点；
如涉及内容、图片、版权等问题，请联系2644303206@qq.com我们将在第一时间删除内容！