碳化硅三极管基本结构碳化硅三极管的基本结构包括P型掺杂区、N型掺杂区和N型掺杂区。P型掺杂区和N型掺杂区之间的结构形成了PN结,起到了一个整流作用。P型掺杂区与N型掺杂区之间的结构形成了一个二极管。N型掺杂区与N型掺杂区之间的结构形成了NPN型的三极管。整个结构被封装在一个金属外壳中,以保护器件免受外界环境的影响。碳化硅三极管优缺点碳化硅三极管相比传统的硅材料制成的三极管具有以下优点:1、高温特性

据金鼎资本消息，近日，国内碳化硅芯片设计公司深圳市至信微电子有限公司（以下简称“至信微电子”）宣布完成数千万元天使+轮融资，本轮融资由深圳高新投领投，半导体产业基金前海扬子江基金，思脉产融以及老股东金鼎资本、太和资本参投。本轮融资资金将用于加速公司产品研发、团队扩建以及市场拓展等。资料显示，至信微电子成立于2021年，是一家专注于碳化硅功率器件研发的高科技公司，主打产品为碳化硅MOSFET及模组等

据东风汽车官方消息，东风旗下智新半导体碳化硅功率模块项目将于2023年实现量产装车。同时，东风汽车与中国信科共建的汽车芯片联合实验室，正在推进车规级MCU芯片在汉落地，预计2024年实现量产；与中芯国际合作，已完成设计首款MCU芯片。作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。据介绍，碳化硅功率模块项目于2021年1月在智新立项，目前课题

12月1日，据报道，意法半导体和Soitec宣布下一阶段的碳化硅（SiC）衬底合作，意法半导体计划在未来18个月内对Soitec的SiC衬底技术进行认证。此次合作的目标是意法半导体在未来的8英寸衬底制造中采用Soitec的SmartSiC™技术，为其器件和模块制造业务提供动力，预计将在中期量产。“向8英寸SiC晶圆的过渡将为我们的汽车和工业客户带来巨大的优势，因为他们加速了向系统和产品电气化的过渡

据苏州纳米城消息，11月23日，希科半导体（苏州）有限公司（以下简称“希科半导体”）在苏州纳米城III期召开碳化硅（SiC）外延片投产发布会。现场还举行了投资签约仪式，助力公司技术研发和产业化加速推进。据悉，该产品日前通过了行业权威企业欧陆埃文思材料科技（上海）有限公司和某国家重点实验室的双重检测。资料显示，希科半导体成立于2021年8月，坐落于苏州纳米城III区第三代半导体产业园，是一家致力于发

11月2日，美国射频解决方案龙头企业Qorvo宣布与SKSiltron的美国子公司SKSiltronCSS敲定了一项SiC衬底和外延片多年供货协议。据了解，SKSiltronCSS本是杜邦的SiC事业部，于2019年被韩国SK集团旗下SKSiltron收购，成为后者在美国的子公司，主要向半导体制造商提供化合物半导体晶圆解决方案。去年，SKSiltronCSS连续追加在美国的投资，先于7月宣布三年投

021年6月8日–推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一对1200V完整的碳化硅(SiC)MOSFET2-PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车(EV)市场的产品系列。随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需

据“中国电科”消息，近日，电科材料所属普兴公司新外延材料产业基地第一片硅外延和碳化硅外延相继“出炉”，标志着新产业基地进入试生产和验证阶段。电科材料稳步推进硅基外延产业发展，积极布局第三代半导体外延材料的研发生产，经过建设，近日实现了新产业基地首片硅外延和碳化硅外延下线，后续将进行新品全尺寸检测评估并向客户提供验证样片。消息称，项目投产后，将成为国内最大的半导体外延材料研发生产基地，为推动半导体材